UL3266

Gonductor

Insulati0ng

מקסקונד

הִתנַגְדוּת

(0/kn, 20 מעלות, DC)

דיאלקטרי

כּוֹחַ

(Vac.1min)

AWG

Const8lction (MO/M)

קוטר חיצוני

(MN)

Thioess

(MN)

קוטר חיצוני

(nm)

30

1/0.254 7/0.10

0.25

0.30

0.38

0.38

1.05

1.10

361

381

2000

28

1/0.32

7/0.127

7/0.20OS-1*

0.32 0.38

0.38

0.38 0.38

0.38

1.10 1.20

1.20

227

239

239

2000

26

1/0.404

7/0.16

7/0.160S-1*

0.40 0.48

0.48

0.38 0.38

0.38

1.25 1.30

1.30

143

150

150

2000

24

1/0.511

11/0.16

7/0.20OS-1*

0.51 0.61

0.60

0.38 0.38

0.38

1.35 1.40

1.40

89.3

94.2

94.2

2000

22

1/0.643

17/0.16

7/0.254OS-1*

0.64 0.76

0.76

0.38 0.38

0.38

1.50 1.60

1.60

56.4

59.4

59.4

2000

20

1/0.813

26/0.16

7/0.254OS-1*

0.81 0.94

0.40

0.38 0.38

0.38

1.65 1.75

1.75

35.2

36.7

36.7

2000

18

1/1.024

16/0.254

41/0.16

7/0.404OS-1*

1.02 1.17 1.18

1.20

0.38 0.38 0.38

0.38

1.85 2.10 2.10

2.10

22.2

23.2

23.2

23.2

2000

16

1/1.29 26/0.254

1.29

1.49

0.38

0.38

2.20

2.40

14.0

14.6

2000

14

1/0.160 41/0.254

1.60

1.88

0.38

0.38

2.50

2.70

8.78

8.96

2000

12

65/0.254

2.36

0.38

3.20

5.64

2000

10

105/0.254

3.42

0.38

4.30

3.54

2000